در این مقاله، یک اینورتر کلاس-E و یک مدار جبران‌سازی حرارتی برای انتقال توان بی‌سیم در ایمپلنت‌های پزشکی طراحی، شبیه‌سازی و ساخته شده است. در تحلیل اینورتر کلاس-E، اثرات غیرخطی وابسته به ولتاژ در خازن‌های Cds و Cgd و مقاومت روشن RON، و همچنین اثرات غیرخطی وابسته به دما در RON ترانزیستور به طور همزمان مورد بررسی قرار گرفته است. انطباق نزدیک نتایج تئوری، شبیه‌سازی و آزمایش‌های عملی، صحت رویکرد پیشنهادی در درنظرگرفتن این اثرات غیرخطی را تایید می‌کند. در این مقاله، تاثیر تغییرات دما بر ویژگی‌های اینورتر بررسی شده است. از آنجا که با افزایش دما، هر دو توان خروجی و بازدهی کاهش می‌یابند، یک مدار جبران‌سازی پیشنهاد شده است تا این مقادیر را در دامنه دمایی وسیع ثابت نگه داشته و امکان استفاده از این منبع توان را برای ایمپلنت‌های پزشکی در محیط‌های دشوار فراهم کند. شبیه‌سازی‌ها انجام شده و نتایج تایید کرده‌اند که مدار جبران‌کننده می‌تواند با حفظ تقریباً ثابت توان و بازدهی (8.46 ± 0.14 وات و 90.4 ± 0.2٪) در دامنه دمایی -60 تا 100 درجه سلسیوس، بهبود قابل‌توجهی ایجاد کند. اندازه‌گیری‌ها که در دماهای 25 و 80 درجه سلسیوس، با و بدون مدار جبران‌سازی انجام شدند، تطابق خوبی با نتایج تئوری و شبیه‌سازی داشتند. توان خروجی و بازدهی اندازه‌گیری‌شده در دمای 25 درجه سلسیوس برابر با 7.42 وات و 89.9٪ به دست آمد.